技術(shù)文章
通過 IV測試動態(tài)響應(yīng)分析定性/半定量評估容性強度
步驟:
單次閃光內(nèi)完成 正向掃(Isc→Voc)和 反向掃(Voc→Isc),掃描速度≥10 V/s。
對比兩條曲線差異,計算 遲滯環(huán)面積(如圖示紅區(qū)):
判斷標(biāo)準(zhǔn)
遲滯環(huán)面積越大 → 電容效應(yīng)越強(如HJT電池達常規(guī)電池5-10倍);
Pmax位置偏移量(|Pmax_fwd - Pmax_rev|)>1% → 高容性電池。
步驟:同一電池在0.01 V/s(慢速)至50 V/s(快速)下多次掃描,觀察Pmax附近曲線形態(tài)。
畸變類型與容性關(guān)聯(lián):
方法:黑暗條件下快速掃描正向偏壓(0→Voc)。
特征:低電壓區(qū)出現(xiàn)電流遲滯 → 擴散電容主導(dǎo)(載流子壽命短)。
針對高容性電池(如HJT/鈣鈦礦),結(jié)合 設(shè)備優(yōu)化 與 算法補償。
三段式掃描法
分區(qū)策略:
Isc/Voc附近:高速掃描(節(jié)省時間)
Pmax區(qū)域:低速掃描(dV/dt↓ → 電容電流↓)
效果:總耗時不變,Pmax誤差降低>70%。
雙向掃描融合算法
公式:Pmax_corrected = k·Pmax_fwd + (1-k)·Pmax_rev (k為遲滯權(quán)重因子)
關(guān)鍵:需通過穩(wěn)態(tài)標(biāo)定優(yōu)化k值,非簡單平均。%。
SAT/IAT算法(德雷射科核心技術(shù))
脈寬光源要求:
脈寬≥100 ms(容性電池需200-500 ms)
光譜穩(wěn)定性AM1.5G±5%(避免光譜失配干擾)
溫度控制:25±1℃(溫度漂移1℃導(dǎo)致Voc漂移0.4%)
研發(fā)場景:穩(wěn)態(tài)模擬器 + SAT算法 → 精度優(yōu)先;
產(chǎn)線場景:脈沖光源 + IAT算法 → 效率與精度平衡;
HJT/鈣鈦礦:強制使用雙向掃描融合算法,Pmax誤差可控至<0.5%。
關(guān)于我們
公司簡介 企業(yè)文化 榮譽資質(zhì)產(chǎn)品分類
穩(wěn)態(tài)氙燈太陽光模擬器 AM0太陽光模擬器 脈沖氙燈太陽光模擬器新聞文章
新聞中心 技術(shù)文章聯(lián)系我們
聯(lián)系方式 在線留言 地圖導(dǎo)航15062303574
(全國服務(wù)熱線)河北省廊坊市大廠回族自治縣智能制造產(chǎn)業(yè)園1.1期A1號樓
qianjuan@laserdl.cn
添加微信
Copyright © 2025德雷射科(廊坊)科技有限公司 All Rights Reserved 工信部備案號:冀ICP備2025111418號-1
技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng) 管理登錄 sitemap.xml